金属电镀通常发生在过电位模式，国家公司即在比标准电位更负的电位。
电网多站研究发现的单元素电子开关可能有助于实现更密集的存储芯片云边研究发现的单元素电子开关可能有助于实现更密集的存储芯片。
【引言】非易失性相变存储器已经成功地商业化，协同项目但要进一步将密度缩小到10 nm以下，协同项目需要为存储单元和相关的垂直堆叠的双端访问开关在成分和结构上均质的材料。【图文导读】图1 Te开关器件的结构和性能图2热退火前后200nmTe开关器件的电气特性图3 Te开关低OFF电流的来源图4通过原位TEM观测得到Te器件的开关机理文献链接：融合Elementalelectricalswitchenablingphasesegregation–freeoperation（Science，融合2021，DOI:10.1126/science.abi6332）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。低OFF电流是由于Te电极界面上存在~0.95电子伏肖特基势垒而产生的，投运而纯Te的瞬态电压脉冲诱导晶液熔融转变则导致高ON电流。
然而，国家公司它们目前由于所使用的第四系或更多样化的硫族化合物所带来的化学复杂性而受到影响。选择器开关主要是非晶硫族化物Ovonic阈值开关(OTSs)，电网多站在非晶状态下，其工作时的非线性电流响应高于阈值电压。
云边相关成果以题为Elementalelectricalswitchenablingphasesegregation–freeoperation发表在了Science。
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